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【成果介绍】近日，宁夏年第南方科技大学程春教授团队和香港科技大学王宁教授团队发现，宁夏年第将高温稳定的惰性氧化物作为抑制层包裹住MoO3,可以有效地阻碍反应初期Mo的硫化与快速挥发过程，从而使得Mo蒸汽以一个较低的浓度缓慢、均匀地从抑制层释放到反应体系中，以制备出高质量、大尺寸的单层MoS2薄膜，而改变氧化物抑制层的用量则可以直接改变Mo:S比以实现对产物成分、尺寸以及层数的有效控制。左上角插图为对应反应残余物的光学图片，电力左下角插图为对应的放大光学图片（标尺为20微米）。
配网(g)Mo蒸汽在不同用量的SnO2抑制层中的扩散示意图。通过对衬底上不同位置的样品进行观察与分析，物资我们可以得到与MoS2生长相似的结论，物资较高的Mo:Se比更有利于单层MoSe2的面内生长，而较低的Mo：Se则会促进多层MoSe2的生成。我们使用的氧化物抑制层（SnO2）就可以很好的完成这一任务，协议通过这一方法，我们可以成功制备出0.8×0.2cm大小的均匀MoS2单层薄膜。
通过对反应残余物的XRD和拉曼分析，库存可以得出，SnO2并没有发生晶格变化也没有硫化锡或硫化亚锡生成。招标中标反应残余物的(e)XRD谱和(f)拉曼光谱。
本文发现，采购改变SnO2的用量可以有效的影响反应的动力学条件（反应体系中的Mo:S蒸汽比），随着SnO2用量的增加，Mo:S比相应降低。
候选图2.(a)生长在氧化硅片上的厘米级MoS2单层薄膜的光学图片（标尺为1cm）以及(b-d)该衬底上不同位置的放大光学图片（标尺为100微米）。体外水凝胶和体内小鼠大脑研究表明，国网公开经过缩小直径的针头移植后，超弹性2D和1D探针在注射后仍保持其结构完整性和构象。
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